Tranzystor taki składa się z warstwy półprzewodnika typu n lub typu p oraz wbudowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu p+. W rezultacie w tranzystorze jest złącze p-n. Na zewnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (D, drain); źródło (S, source) oraz bramka (G, gate)